 Wysłany: Wto 8:56, 09 Lis 2010 Temat postu: Pamięci |
|
| PAMIĘCI
RODZAJE PAMIĘCI Pamięć tylko do odczytu ROM (Read Only Memory) – pamięć tylko do odczytu PROM (Programmable ROM) – pamięć programowalna EPROM (Erasable Programmable ROM) – pamięć kasowalna i programowalna EEPROM (Electrically Erasable Programmable ROM) – pamięć elektrycznie kasowalna i programowalna Pamięć do zapisu i odczytu (RAM, Random Access Memory) DRAM (Dynamic Random Access Memory) – pamięć dynamiczna o bezpośrednim dostępie SRAM (Static Random Access Memory) – statyczna pamięć o bezpośrednim dostępie BIOS Pamięć Flash (Flash memory), pamięć błyskowa - rodzaj pamięci EEPROM (np. BIOS komputera) - zawartośd pamięci utrzymywana dzięki niezależnemu źródłu zasilania o niewielkim poborze prądu - szybsza od zwykłej pamięci EEPROM - zawartość pamięci można stosunkowo prosto modyfikować (np. aktualizacja BIOSu) BIOS – Basic Input Output System - Czynności realizowane przez BIOS: sprawdzenie bieżących ustawieo w pamięci CMOS zainicjowanie rejestrów i mechanizmów zarządzania poborem energii wykonanie testu POST (Power On Self Test) wyświetlenie informacji o ustawieniach konfiguracyjnych rozpoznanie, z którego urządzenia będzie ładowany system operacyjny załadowanie systemu operacyjnego Najważniejsi producenci BIOS American Megatrends (AMI) Phoenix Technologies (Phoenix BIOS) Award Pamięć CMOS (Complementary Metal Oxide Semiconductor) – układ pamięci RAM, w której zapisane są informacje dotyczące szczegółów konfiguracyjnych komputera; zawartość pamięci CMOS może być modyfikowana. DRAM DRAM - struktura i identyfikacja - komórki pamięci - macierz komórek pamięci (każda komórka pamięci należy do określonego wiersza i kolumny (adres komórki) - macierze grupowane są w banki - każda komórka pamięci ma unikatowy adres - dwie linie adresowe definiują adres komórki (linia wiersza - Row Line i linia kolumny - Column Line) DRAM - terminologia Pamięć asynchroniczna – praca pamięci nie jest zsynchronizowana z częstotliwością zegara systemowego (< 66 MHz) Pamięć synchroniczna – praca pamięci jest zsynchronizowana z częstotliwością zegara systemowego (> 66 MHz) – lepsza kontrola zależności czasowych rządzących pracą pamięci Dostęp do pamięci (memory access) – odczyt (zapis) porcji danych z (do) pamięci Organizacja dostępu do pamięci - kontroler pamięci generuje sygnały, które definiują, do którego miejsca pamięci ma nastąpid dostęp - kontroler pamięci umieszcza dane na magistrali danych, tak by mogły byd przesłane do procesora albo do urządzenia, które ich zażądało Kontroler pamięci – układ elektroniczny generujący sygnały służące do kontroli operacji odczytu i zapisu pamięci oraz łączący pamięd z innymi głównymi częściami systemu komputerowego; zazwyczaj jest wbudowany w chipset. Czas dostępu do pamięci- czas, jaki upływa od wysłania żądania odczytu porcji danych z pamięci do pojawienia się żądanej porcji danych Prędkość pamięci - pamięć asynchroniczna (FPM, EDO) minimalny całkowity czas dostępu do pamięci (ok. 50 – 100 ns) - pamięć synchroniczna (SDRAM, DDR SDRAM) maksymalna prędkość z jaką dane dostarczane są z pamięci do magistrali danych w tzw. trybie burst typowe czasy: < 10 ns Odświeżanie - okresowy odczyt zawartości komórek i ponowny zapis tej samej wartości Schemat zapisu zależności czasowych dla RAM (Timing) CL, RCD, RP, RAS CL (CAS Latency) - liczba cykli zegara magistrali, jakie upływają od wydania przez procesor polecenia aktywacji wybierania kolumny do momentu przekazania danych do bufora w kontrolerze pamięci RCD (RAS to CAS Delay) - przerwa czasowa między podaniem adresu wiersza i kolumny RP (RAS Precharge) - czas trwania sygnału odświeżania pamięci RAS (Row Address Strobe) - liczba cykli wymaganych do wykonania komendy aktywacji jednego z banków pamięci (zanim załadowanie adresu wiersza może zostad wykonane) Przegląd pamięci DRAM FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM) – pamięć asynchroniczna EDO DRAM (Extended Data-Out DRAM) - pamięć asynchroniczna SDRAM (Synchronous DRAM) - dostęp do pamięci zsynchronizowany z zegarem systemowym, praca w trybie burst DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - podwojony w stosunku do pamięci SDRAM strumieo danych, transfer inicjowany jest przez obydwa zbocza sygnału zegarowego DDR2 SDRAM - wyższa efektywna częstotliwośd taktowania oraz niższy pobór prądu w stosunku do DDR SDRAM, wykorzystuje wznoszące i opadające zbocze sygnału zegarowego DDR3 SDRAM - wyższa efektywna częstotliwośd taktowania oraz niższy pobór prądu w stosunku do DDR2 SDRAM Moduły DRAM – rozwiązania technologiczne SIMM (Single In-Line Memory Module) Moduły SIMM można podzielid na: -starsze 30-pinowe (8 lub 9 bitowe): 256KB, 1MB, 4MB, 16MB -nowsze 72-pinowe (32 lub 36 bitowe): 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB DIMM (Dual In-Line Memory Module) Najpopularniejsze typy DIMM to: -72-pinowe, stosowane w SO-DIMM (32 bitowe) -144-pinowe, stosowane w SO-DIMM (64 bitowe) -168-pinowe, stosowane w SDR SDRAM -184-pinowe, stosowane w DDR SDRAM -240-pinowe, stosowane w DDR2 SDRAM -240-pinowe, stosowane w DDR3 SDRAM ORGANIZACJA PAMIĘCI W PC Czytanie bieżącej wartości bitu zapisanego w danej komórce DRAM - komputer (procesor) dostarcza adres komórki pamięci (adres wiersza + adres kolumny) - kontroler pamięci rozdziela adres komórki na adres wiersza i adres kolumny - kontroler pamięci przesyła adres wiersza i adres kolumny do układu pamięci (np. DRAM) - dekoder wierszy uaktywnia linię słowa (Row Line) następuje „odczytanie” zawartości komórek pamięci z całego wiersza pojawiają się napięcia na odpowiednich liniach bitowych - dekoder kolumn uaktywnia linię kolumny (Column Line) -następuje fizyczne połączenie linii bitowej idącej od danej komórki do bufora danych -pojawia się sygnał napięciowy na wyjściu (odpowiadający zawartości bitowej komórki) -nastąpiło odczytanie zawartości komórki pamięci o zadanym adresie |
|
